既然三星Galaxy S21 Ultra现已上市并掌握在消费者手中，它使我们有机会开始测试高通和三星的两款旗舰芯片。得益于ARM的新型Cortex-X1和三星的5nm工艺，两款新芯片均比其前代产品具有显着的性能提升，但是它们之间有何不同?在一些最佳的Android手机中使用时，它们对性能的影响如何?幸运的是，我们让AnandTech深入研究了这些芯片，并为我们提供了使用Galaxy S21 Ultra的想法。
AnandTech指出的一点是构建这些芯片的节点。使用三星的5nm工艺可提高两款芯片的性能和效率，但相比之下，三星的5LPE工艺实际上更类似于台积电的7nm节点，但落后于竞争对手的芯片制造商。不过，在比较当前芯片和上一代芯片时，三星似乎已经能够降低Exynos 2100使用的电压。例如，2.5 GHz的3个Cortex-A78内核仅需要862mV，而上一代芯片的Cortex-A76内核则需要高达1050mV。显然，与AnandTech相比，三星也一直在低估其性能优势。 的单踩性能提高了27%，比三星声称的19%高出很多。
不幸的是，这些相同的改进并没有真正转化为内存延迟，Exynos 2100的时钟频率为136ns，而Exynos 990的时钟频率为121ns(这里越低越好)。这也与Snapdragon 888上测得的114ns进行了比较。
将Exynos 2100放在冰箱中时，其性能会更好。
高通的芯片还显示出比其前任产品明显的性能提升，比Snapdragon 865高达29.2%的增益。它在许多测试中，例如整体性能和效率方面，都设法使Exynos 2100达到最佳。在工作负载方面，与相同条件下的Snapdragon 888相比，Exynos 2100在风扇下表现出的性能不足。仅当将Exynos Galaxy S21 Ultra放置在冰箱中时情况才会好起来，但这仍然只能在风扇下显示与Qualcomm手机的比较数字，并且表示非常不现实的测试条件。
高通公司的芯片测量速度比三星快一小部分，同时还设法消耗更少的功率，因此效率提高了14%。值得注意的是，这两个芯片都是使用相同的流程和相同的配置来构建的，但是高通公司的某些决定使其处于优势地位，例如它如何在X1内核中实现缓存。
不幸的是，尽管Snapdragon 888超越了Exynos芯片及其前身，但仍受到三星制造工艺的阻碍。此外，这两种芯片似乎都没有充分利用其内核，特别是在速度更快的X1上。
总体而言，这一代人似乎有些虚弱。三星LSI在改善Exynos SoC的基础方面仍然领先于他们...高通公司虽然这一代似乎执行得很好，但似乎受制程节点的限制。
这可能听起来有点令人失望，也可能使我们对两家公司在下半年可能会推出后续产品时如何改进其芯片的想法有所了解，特别是在高通公司的Nuvia交易以及三星与AMD的合作伙伴关系中。尽管测试可能会说出什么，但两款芯片仍然令人印象深刻，并且Exynos的性能比以前有所提高。
