据该公司宣布，三星已经开始大规模生产和装运其首个商用EMRAM，基于它28纳米的全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)工艺技术，或28FDS。
MRAM技术是非易失性的，这意味着即使没有像NANDFlash这样的电力，数据也不会被擦除，但它仍然可以像易失DRAM那样快速地处理数据，并且被认为是下一代存储技术。
韩国科技巨头表示，它的EMRAM的写入速度比eFlash快1000倍，因为它在写入数据之前不需要擦除循环，并且可以克服后者的可扩展性问题。
功率消耗也较低，因为它在关闭时不消耗能量。FD-SOI工艺技术，如EMRAM，在硅片上涂上一层绝缘体膜，以减少电力泄漏。
该公司称，成功是三星全球最大的存储芯片制造商的一个重要里程碑，公司称技术发展将扩大其对竞争对手的支配地位。
该公司一直在利用其芯片业务的主导地位，通过提供多种多样的产品来扩大其在逻辑芯片和代工领域的市场份额，该业务此前曾帮助其创造了两年创纪录的利润。它提供内存芯片和处理器作为一个芯片解决方案，以吸引客户。
三星还表示，它的EMRAM模块可以很容易地插入到现有的逻辑技术，如本体、鳍和FD-SOI晶体管。
该公司预计其EMRAM解决方案将在微控制器单元、物联网和人工智能中得到应用。
三星的铸造业务还将Emram应用到其片上系统(SOC)上，这将使其产品与竞争对手区分开来。
