Silicon Labs 推出了一系列隔离式模拟放大器，电压传感器和delta-sigma调制器(DSM)器件，旨在提供准确的电流和电压测量，并且在整个温度范围内的漂移极低。新的Si89xx系列基于Silicon Labs强大的第三代隔离技术， 提供了灵活的电压，电流，输出和封装选项，可帮助开发人员降低BOM成本并缩小板载空间，以用于包括电在内的各种工业和绿色能源应用车辆(EV)电池管理和充电系统，DC-DC转换器以及电机，太阳能和风轮机逆变器。
精确的电流和电压测量对于电源控制系统的准确运行至关重要。为了最大化效率并快速响应故障或负载变化，系统控制器需要来自高压导轨的电流和电压信息。Silicon Labs的第三代隔离技术以1414 V的工作电压和13 kV的双极电涌使控制器在宽广的温度变化中保持安全，超出了严格的行业要求。
Silicon Labs现在提供业界最广泛的电流和电压传感器产品组合。Si89xx系列包括四个产品类别：
Si892x隔离式模拟放大器，针对并联电流检测进行了优化
Si8931 / 2隔离式模拟放大器，针对通用电压检测进行了优化
Si8935 / 6/7隔离式DSM器件，针对电压感测进行了优化-行业首创
Si8941 / 6/7隔离式DSM器件已针对并联电流检测进行了优化
“在过去的十年中，我们的第一代和第二代混合信号隔离技术推动了我们的数字隔离产品在市场上取得了巨大的成功，而我们在新型Si89xx器件中使用的第三代技术进一步提高了标准，” Brian Mirkin说道 ， Silicon Labs电源产品副总裁兼总经理。
“我们的隔离产品将继续取代传统的光耦合器，并且性能优于竞争对手的数字隔离器，从而为需要高压保护的系统设计提供更高的浪涌性能，可靠性，集成度和一流的安全性。”
汽车电池和电动机/光伏逆变器系统需要可靠的电流监控以及强大的抗噪能力。Si89xx器件提供的共模瞬变抗扰性(CMTI)高达竞争产品的三倍。该器件具有75 kV / µs的快速瞬变抗扰度，可确保在苛刻的工业应用中提供可靠而准确的电流读数。如果未检测到高端电源，则Si89xx系列还支持对主控制器的故障安全指示。
Si89xx器件可提供低至±40 µV的典型失调误差和±0.1%的增益误差，从而实现了精确的测量。低至±0.15 µV /˚C的典型失调漂移和低至–6 ppm /˚C的典型增益漂移确保了整个温度范围内的出色精度。
这些器件提供了业界最高的典型信噪比(SNR)，高达90 dB。每当电压从另一侧移除时，独特的低功耗模式就会自动将隔离栅一侧的电流消耗降低至大约1 mA，从而使控制器能够通过简单的场效应晶体管(FET)来管理电源。
下一代Si89xx器件通过以下选项增强了设计灵活性：
具有单端，差分或DSM输出的电流或电压优化设备
±62.5 mV，±250 mV或2.5 V输入范围
扩展的宽体SOIC-8封装可支持5 kVrms隔离和9 mm爬电距离/电气间隙，而紧凑型窄体SOIC-8则可支持2.5 kVrms隔离
