在纽约举行的一次活动中，高通公司揭开了其充电技术最新进展的序幕：Quick Charge 4.0。在先前的Quick Charge技术成功的基础上，Quick Charge 4.0承诺提供更快的充电时间和更高的效率水平，从而使移动消费者花费更少的时间在墙上。
高通公司发现，寻找新智能手机时人们最关注的四个问题中的三个与电池容量或电池充电速度有关，他们的目标是利用Quick Charge 4.0继续改善其强大的市场地位，有150多家公司支持快速充电，通过帮助缓解这些恐惧。
高通Quick Charge 4.0Quick Charge 4.0声称仅用5分钟的充电时间即可将使用Qualcomm Snapdragon 835芯片的旗舰智能手机的使用时间延长5小时，而高通则将其提高为“ 5比5”。高通声称，仅需15分钟的充电时间，便可以为手机快速充电，最高可达到50%的电池电量。
与Quick Charge 3.0相比，Qualcomm再次改进了其Dual Charge并行充电技术(现称为“ Dual Charge ++”)，以在最高5摄氏度的温度下提供高达20%的更快充电速度和30%的更高效率。超越了先前的技术。
Quick Charge 4.0还具有高通公司的第三版INOV(最佳电压的智能协商)电源管理算法。该版本的INOV包含实时热管理，高通公司称其为技术行业之首。INOV 3.0通过为当前的热条件确定和选择最佳的功率传输水平来专注于优化。
快速充电4.0的主要重点是改善安全性和保护功能，并添加了多个附加保护层以帮助防止电池过度充电。Quick Charge 4.0保留了许多现有功能，例如3层过压保护，3层过流保护和4层过温保护，并为它们补充了新功能，例如能够检测电压的变化。使用的电缆的质量和状况。
不过，最重要的变化之一是增加了与USB Power Delivery(USB PD)的兼容性，这是在更好的时候出现的，紧随Google的“强烈建议”，即设备仅支持充电与新的Android 7.0兼容性文档中的USB PD兼容的方法 (有一点暗示Google将来“可能需要所有C型设备以支持与标准C型充电器的完全互操作性”)。
为了获得最佳的QC 4.0性能，高通还推出了两种新的电源管理IC，即SMB1380和SMB1381。这些PMIC专为低阻抗而设计，峰值效率高达95%，并支持电池差分感应等高级功能。SMB3180 / 1将于2016年底上市。
从Qualcomm Snapdragon 835开始，下一代Qualcomm Snapdragon处理器将采用Qualcomm的Quick Charge 4.0快速充电技术。Snapdragon 835预计将于2017年上半年开始在商用设备中发售。
