据外媒报道，在近日举办的晶圆代工论坛上，三星电子宣布，将从2025年开始量产2nm芯片。
这一声明表明，三星电子将继续开发尖端制造技术，与其竞争对手英特尔和台积电展开竞争。
报道称，三星电子的2nm制程量产计划比台积电和英特尔晚了1年左右。但是，台积电和英特尔计划在2nm制程中首次引入GAA，因此三星电子在技术稳定性和良品率方面具有优势。
今年6月底，三星宣布，其3nm制程技术已经正式流片。据悉，该公司的3nm制程采用的是GAA架构，性能优于台积电的3nm FinFET架构。但是，三星当时并没有透露3nm GAA工艺何时量产。
在近日举办的晶圆代工论坛上，三星表示，计划从2022年上半年开始生产客户设计的3nm芯片，第二代3nm芯片预计将在2023年生产。
