尽管在2015年大部分时间表现不佳，但高通公司凭借其Snapdragon 820/821在 2016年迄今为止取得了很大的成功。尽管820/821 在基准测试中与某些竞争对手竞争，但目前的Snapdragon SoC基本上满足了最终用户的需求。
诸如OnePlus 3之类的设备在XDA团队中获得了高度好评，更不用说Google Pixel和Pixel XL在整个Android社区中的巨大普及了。但是，高通对只发布“令人满意的”产品不感兴趣，因此，该公司已正式宣布了期待已久的Snapdragon 820和821的继任者-期待已久的Snapdragon 835。尽管有许多 谣言 声称并非如此，但高通公司似乎至少在现在就跳过了Snapdragon 830名称。
尽管对Snapdragon 835知之甚少，但高通至少表明他们将继续与三星合作。Snapdragon 835将采用GlobalFoundries / Samsung的工艺技术和制造工厂制造，并且将成为高通公司第一款基于三星新的10纳米FinFET工艺的芯片。三星很自豪能成为首家批量生产10 nm芯片的制造商，但是，台积电(TSMC)紧随其后的是自己的10 nm工艺，该工艺将在即将 面世的联发科技Helio X30中找到。还有一些关于按标称特征尺寸测量工艺技术的有效性的问题(Intel坚持认为Gate Pitch x Metal Pitch是优选的测量方法，其中Intel 14 nm与TSMC和Samsung / GloFo 10 nm的排名相当接近) )，但这是另一个话题。
三星的10纳米FinFET工艺有望使面积效率提高30%，并且在相同功率使用情况下，可以选择将性能提高27%，或者在相同性能水平下(或介于两者之间)将功耗降低40%。目前，将面积效率提高30%是高通公司的主要工作重点，因为这将使OEM厂商在其设备内留出更多空间来容纳其他部件，例如更大的电池。高通公司特别希望看到制造商通过结合使用更大的电池来利用提高的面积利用率。该公司在所有公告中都强调希望消除距离焦虑。高通希望您使用Quick Charge 4.0更快地充电，使用更新，更高效的芯片组消耗更少的功率，并为具有较小处理器和其他组件的手机内部的更大电池留出空间。
除了揭露Snapdragon 835的制造工艺外，之前还宣布Snapdragon 835将搭载高通公司的新型X16 LTE调制解调器，该调制解调器能够实现千兆下载速度。
Qualcomm Snapdragon 835已经开始生产，应该在2017年上半年开始在旗舰手机中发货，正好赶上了期待已久的旗舰手机的更新(就像有关三星Galaxy S8，LG G6的谣言开始出现一样， HTC 11，以及其他各种设备)。
